《半導(dǎo)體》雜志投稿要求，如下：
（1）圖表應(yīng)少而精，能用文字說明的不用表，能用表說明的不用圖。圖表的標(biāo)題及文字說明均用中文。表用三橫線表，表內(nèi)同一項(xiàng)目（指標(biāo)）數(shù)據(jù)要求小數(shù)點(diǎn)后位數(shù)一致。
（2）注釋是對(duì)論文中某一特定內(nèi)容的解釋或補(bǔ)充說明，用帶圈數(shù)字注于當(dāng)頁頁腳。
（3）來稿請(qǐng)附中、英文的題目，其中，中文題目不超過20字，題目要能概括文章主旨，且須簡(jiǎn)明、具體、確切，必要時(shí)可加副標(biāo)題。
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（5）參考文獻(xiàn)：說明引文的出處，采用文末尾注。
半導(dǎo)體雜志發(fā)文分析
半導(dǎo)體主要機(jī)構(gòu)發(fā)文分析
| 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 南開大學(xué) | 37 | Z2000；電路；通信；芯片；擴(kuò)頻 |
| 河北工業(yè)大學(xué) | 23 | 力傳感器；感器；壓力傳感器；傳感；傳感器 |
| 河北大學(xué) | 18 | 半導(dǎo)體；導(dǎo)體；晶格；半導(dǎo)體超晶格；超晶格 |
| 西安理工大學(xué) | 13 | 半導(dǎo)體；碳化硅；功率器件；力傳感器；晶體管 |
| 南京電子器件研究所 | 10 | 半導(dǎo)體；異質(zhì)結(jié)；砷化鎵；微結(jié)構(gòu)；晶格 |
| 電子部 | 10 | GAAS；半導(dǎo)體；砷化鎵；電路；單晶 |
| 西安交通大學(xué) | 9 | 感器；波導(dǎo)；傳感；傳感器；光波 |
| 天津大學(xué) | 9 | 三端電壓；負(fù)阻；負(fù)阻器件；雙極晶體管；晶體管 |
| 中國(guó)科學(xué)院 | 7 | 半導(dǎo)體；Y；砷化鎵；半導(dǎo)體材料；SI |
| 云南師范大學(xué) | 6 | 陶瓷；力傳感器；感器；版圖；版圖設(shè)計(jì) |
《半導(dǎo)體》雜志是由信息部電子46所;天津市電子學(xué)會(huì)主辦的季刊，審稿周期預(yù)計(jì)為1個(gè)月內(nèi)。該雜志的欄目設(shè)置豐富多樣，涵蓋研究報(bào)告、文獻(xiàn)綜述、簡(jiǎn)報(bào)、專題研究等。
該雜志為學(xué)者們提供了一個(gè)交流學(xué)術(shù)成果和經(jīng)驗(yàn)的平臺(tái)，發(fā)表的文章具有較高的學(xué)術(shù)水平和實(shí)踐價(jià)值，為讀者提供更多的實(shí)踐案例和行業(yè)信息，得到了廣大讀者的廣泛關(guān)注和引用。
