《Ieee Transactions On Nanotechnology》雜志影響因子：2.1。
期刊Ieee Transactions On Nanotechnology近年評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖
期刊影響因子趨勢(shì)圖
以下是一些常見(jiàn)的影響因子查詢?nèi)肟冢?
（1）Web of Science：是查詢SCI期刊影響因子的權(quán)威平臺(tái)，收錄全球高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊，提供詳細(xì)的期刊引證報(bào)告，包括影響因子、分區(qū)、被引頻次等關(guān)鍵指標(biāo)。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個(gè)網(wǎng)站，提供了期刊影響因子、引用數(shù)據(jù)和相關(guān)指標(biāo)。用戶可以在該網(wǎng)站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區(qū)表：提供中科院分區(qū)的期刊數(shù)據(jù)查詢，包括影響因子和分區(qū)信息。
《Ieee Transactions On Nanotechnology》雜志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術(shù)-材料科學(xué)：綜合為研究方向，OA非開(kāi)放（Not Open Access）的國(guó)際優(yōu)秀期刊。
該雜志出版語(yǔ)言為English，創(chuàng)刊于2002年。自創(chuàng)刊以來(lái)，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國(guó)內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。
?學(xué)術(shù)地位：在JCR分區(qū)中位列Q3區(qū)，中科院分區(qū)為工程技術(shù)大類4區(qū)，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣小類4區(qū)。
期刊發(fā)文分析
國(guó)家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國(guó)家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 119 |
| USA | 104 |
| India | 91 |
| Taiwan | 39 |
| South Korea | 28 |
| Iran | 27 |
| GERMANY (FED REP GER) | 18 |
| Italy | 17 |
| France | 14 |
| Spain | 14 |
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| APPL PHYS LETT | 177 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 134 |
| IEEE T NANOTECHNOL | 128 |
| NANO LETT | 107 |
| J APPL PHYS | 100 |
| ACS NANO | 91 |
| NATURE | 90 |
| SCIENCE | 77 |
| SENSOR ACTUAT B-CHEM | 74 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 70 |
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T NANOTECHNOL | 128 |
| IEEE ACCESS | 89 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 88 |
| MICROELECTRON J | 47 |
| IEEE SENS J | 44 |
| NANOTECHNOLOGY | 42 |
| MICROSYST TECHNOL | 38 |
| IEEE T VLSI SYST | 37 |
| J ELECTRON MATER | 37 |
| MATER RES EXPRESS | 36 |
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
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