《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志的收稿方向主要包括：科技論文 研究報(bào)告 性能分析 產(chǎn)品介紹 光電技術(shù)應(yīng)用 學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴等。

該雜志收稿方向廣泛，涵蓋了科技的多個(gè)重要領(lǐng)域和前沿話題，為科技工作者和研究者提供了一個(gè)交流和分享學(xué)術(shù)成果的重要平臺(tái)。

《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志投稿要求

（1）請(qǐng)勿一稿多投，嚴(yán)禁抄襲、剽竊。

（2）論文內(nèi)容要求：題目、作者姓名、單位、摘要、關(guān)鍵詞、圖題和表題、基金、第一作者簡(jiǎn)介。

（3）引言言簡(jiǎn)意賅，突出重點(diǎn)。不應(yīng)過(guò)多敘述同行熟知及教科書(shū)中的常識(shí)性內(nèi)容，引言作為論文的開(kāi)端，主要回答“為什么研究”這一問(wèn)題。

（4）參考文獻(xiàn)要求在文中對(duì)應(yīng)處以上角標(biāo)形式按引用順序標(biāo)出序號(hào)。作者超過(guò)3個(gè)時(shí)，只著錄前3個(gè)，其后以“，”斷開(kāi)加“等”。

（5）注釋：解釋題名、作者及某些內(nèi)容，均可使用注釋。能在文章內(nèi)用括號(hào)注釋的，盡量不單獨(dú)列出；不隨文列出的注釋，標(biāo)注符號(hào)應(yīng)注在需要注釋的詞、詞組或語(yǔ)句的右上角，用①，②，③……表示，并于文后依次列出。

《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志是由信息產(chǎn)業(yè)部主管和重慶光電技術(shù)研究所主辦的學(xué)術(shù)理論期刊，創(chuàng)刊于1995年，國(guó)內(nèi)外公開(kāi)發(fā)行，國(guó)際刊號(hào)ISSN為1007-0206，國(guó)內(nèi)刊號(hào)CN為50-1093/TN，該雜志級(jí)別為省級(jí)期刊，預(yù)計(jì)審稿周期為1個(gè)月內(nèi)。

該雜志在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力，多次獲得國(guó)內(nèi)外權(quán)威獎(jiǎng)項(xiàng)，如Caj-cd規(guī)范獲獎(jiǎng)期刊、中國(guó)優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫(kù)、中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù)（CJFD）等。

在收錄方面，《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志被多個(gè)知名數(shù)據(jù)庫(kù)收錄，包括：知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬(wàn)方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)、國(guó)家圖書(shū)館館藏、上海圖書(shū)館館藏等，在科技領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)價(jià)值和影響力，是科技研究者和實(shí)踐者的重要參考刊物。