《固體電子學研究與進展》雜志的收稿方向主要包括:三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。
該雜志收稿方向廣泛,涵蓋了電子的多個重要領域和前沿話題,為電子工作者和研究者提供了一個交流和分享學術成果的重要平臺。
《固體電子學研究與進展》雜志投稿要求
(1)文獻引證方式采用注釋體例。注釋用尾注,置于文末。
(2)作者簡介在稿件首頁地腳。順序列出:姓名(出生年-),性別(民族),籍貫,工作單位及職務,職稱,學位,學術簡歷及研究方向。
(3)中文摘要為150-300字。摘要的內容應包括目的、方法、實驗結果和結論;綜述性、評論性文章可寫指示性摘要。摘要中不應出現“本文、我們、作者”之類的詞語。
(4)自投稿之日起3個月內未接到用稿通知,請自行處理文稿。切忌一稿多投。來稿一般不退,敬請諒解。
(5)來稿若為課題研究成果,則凡被省級以上單位正式立項的課題,應在文中標明課題的立項單位、級別、時間和編號等信息。
《固體電子學研究與進展》雜志是由中國電子科技集團公司主管和南京電子器件研究所主辦的學術理論期刊,創刊于1981年,國內外公開發行,國際刊號ISSN為1000-3819,國內刊號CN為32-1110/TN,該雜志級別為統計源期刊,預計審稿周期為1-3個月。
固體電子學研究與進展雜志數據統計
固體電子學研究與進展主要引證文獻期刊分析
該雜志在學術界具有較高的影響力,多次獲得國內外權威獎項,如中國優秀期刊遴選數據庫、中國期刊全文數據庫(CJFD)、中科雙效期刊、中國科技期刊優秀期刊、中國期刊方陣雙效期刊等。
在收錄方面,《固體電子學研究與進展》雜志被多個知名數據庫收錄,包括:統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)、知網收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學文摘(美)、JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏等,在電子領域具有較高的學術價值和影響力,是電子研究者和實踐者的重要參考刊物。
固體電子學研究與進展雜志發文分析
固體電子學研究與進展主要機構發文分析
機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS |
東南大學 | 317 | 電路;半導體;放大器;晶體管;集成電路 |
復旦大學 | 231 | 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導體 |
中國科學院 | 148 | 晶體管;半導體;分子束;分子束外延;異質結 |
西安電子科技大學 | 116 | 半導體;電路;金屬氧化物半導體;晶體管;碳化硅 |
浙江大學 | 77 | 電路;半導體;芯片;金屬氧化物半導體;低功耗 |
清華大學 | 70 | 電路;集成電路;計算機;半導體;GAAS |
天津大學 | 69 | 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負阻 |
南京大學 | 68 | 發光;半導體;納米;氮化鎵;GAN |
中國科學院微電子研究所 | 68 | 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS |