《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志投稿要求,如下:
(1)文獻(xiàn)引證方式采用注釋體例。注釋用尾注,置于文末。
(2)作者簡(jiǎn)介在稿件首頁(yè)地腳。順序列出:姓名(出生年-),性別(民族),籍貫,工作單位及職務(wù),職稱,學(xué)位,學(xué)術(shù)簡(jiǎn)歷及研究方向。
(3)中文摘要為150-300字。摘要的內(nèi)容應(yīng)包括目的、方法、實(shí)驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論;綜述性、評(píng)論性文章可寫(xiě)指示性摘要。摘要中不應(yīng)出現(xiàn)“本文、我們、作者”之類的詞語(yǔ)。
(4)自投稿之日起3個(gè)月內(nèi)未接到用稿通知,請(qǐng)自行處理文稿。切忌一稿多投。來(lái)稿一般不退,敬請(qǐng)諒解。
(5)來(lái)稿若為課題研究成果,則凡被省級(jí)以上單位正式立項(xiàng)的課題,應(yīng)在文中標(biāo)明課題的立項(xiàng)單位、級(jí)別、時(shí)間和編號(hào)等信息。
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志發(fā)文分析
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展主要機(jī)構(gòu)發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS |
東南大學(xué) | 317 | 電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集成電路 |
復(fù)旦大學(xué) | 231 | 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導(dǎo)體 |
中國(guó)科學(xué)院 | 148 | 晶體管;半導(dǎo)體;分子束;分子束外延;異質(zhì)結(jié) |
西安電子科技大學(xué) | 116 | 半導(dǎo)體;電路;金屬氧化物半導(dǎo)體;晶體管;碳化硅 |
浙江大學(xué) | 77 | 電路;半導(dǎo)體;芯片;金屬氧化物半導(dǎo)體;低功耗 |
清華大學(xué) | 70 | 電路;集成電路;計(jì)算機(jī);半導(dǎo)體;GAAS |
天津大學(xué) | 69 | 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負(fù)阻 |
南京大學(xué) | 68 | 發(fā)光;半導(dǎo)體;納米;氮化鎵;GAN |
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 | 68 | 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS |
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志是由南京電子器件研究所主辦的雙月刊,審稿周期預(yù)計(jì)為1-3個(gè)月。該雜志的欄目設(shè)置豐富多樣,涵蓋三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡(jiǎn)訊等。
該雜志為學(xué)者們提供了一個(gè)交流學(xué)術(shù)成果和經(jīng)驗(yàn)的平臺(tái),發(fā)表的文章具有較高的學(xué)術(shù)水平和實(shí)踐價(jià)值,為讀者提供更多的實(shí)踐案例和行業(yè)信息,得到了廣大讀者的廣泛關(guān)注和引用。