《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在中科院分區中是3區，在JCR分區中是Q2區。

這表明《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在工程技術領域具有較高的學術水平和影響力，其發表的論文質量和數量均得到了學術界的廣泛認可。

這進一步證明了《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在工程：電子與電氣領域的卓越學術地位和影響力。

根據最新的數據，該雜志的CiteScore指數統計為4.8，SJR：0.436，SNIP：1.148，（學科類別：大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality，分區：Q2，學科類別：大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering，分區：Q2，學科類別：大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials，分區：Q2）這表明該雜志在工程：電子與電氣領域具有較高的學術影響力和引用率。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志創刊于2001年，由UNITED STATES的Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版。作為一本享有盛譽的學術期刊，它致力于及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣工作者在該領域的科學研究、技術革新和學術動態。

該雜志的國際標準簡稱是IEEE T DEVICE MAT RE，其ISSN號為1530-4388（印刷版）和E-ISSN號為1558-2574（電子版），該雜志歡迎涉及工程技術領域的原創理論、方法、技術和重要應用的稿件，并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目：綜述、論著、述評、論著摘要等。