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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability雜志影響因子查詢入口?

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志影響因子:2.5。

期刊Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近年評價數據趨勢圖

期刊影響因子趨勢圖

以下是一些常見的影響因子查詢入口:

(1)Web of Science:是查詢SCI期刊影響因子的權威平臺,收錄全球高質量學術期刊,提供詳細的期刊引證報告,包括影響因子、分區、被引頻次等關鍵指標。

(2)?Journal Citation Reports (JCR):JCR是科睿唯安旗下的一個網站,提供了期刊影響因子、引用數據和相關指標。用戶可以在該網站上查找特定期刊的影響因子信息。

(3)中科院SCI期刊分區表:提供中科院分區的期刊數據查詢,包括影響因子和分區信息。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術-工程:電子與電氣為研究方向,OA非開放(Not Open Access)的國際優秀期刊。

該雜志出版語言為English,創刊于2001年。自創刊以來,已被SCIE(科學引文索引擴展板)等國內外知名檢索系統收錄。該雜志發表了高質量的論文,重點介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實踐中的理論、研究和應用。

?學術地位:在JCR分區中位列Q2區,中科院分區為工程技術大類3區,ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣小類3區。

期刊發文分析

機構發文量統計
機構 發文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... 23
IMEC 15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... 14
STMICROELECTRONICS 10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
GLOBALFOUNDRIES 7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
國家 / 地區發文量統計
國家 / 地區 發文量
USA 52
CHINA MAINLAND 51
India 50
Taiwan 35
France 20
Italy 18
Belgium 15
Austria 14
Japan 13
GERMANY (FED REP GER) 12
期刊引用數據次數統計
期刊引用數據 引用次數
IEEE T ELECTRON DEV 167
IEEE T NUCL SCI 116
MICROELECTRON RELIAB 100
IEEE T DEVICE MAT RE 93
IEEE ELECTR DEVICE L 69
APPL PHYS LETT 59
J APPL PHYS 44
IEEE T COMP PACK MAN 24
IEEE J SOLID-ST CIRC 23
IEEE T POWER ELECTR 23
期刊被引用數據次數統計
期刊被引用數據 引用次數
IEEE T ELECTRON DEV 127
IEEE T DEVICE MAT RE 93
MICROELECTRON RELIAB 88
IEEE ACCESS 47
IEEE T NUCL SCI 37
IEEE ELECTR DEVICE L 36
IEICE ELECTRON EXPR 35
IEEE T POWER ELECTR 31
J MATER SCI-MATER EL 31
ELECTRONICS-SWITZ 30
文章引用數據次數統計
文章引用數據 引用次數
A First-Principles Study of the SF6 Decomp... 23
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its I... 9
Comparative Thermal and Structural Charact... 9
Output-Power Enhancement for Hot Spotted P... 8
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Tes... 7
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide... 7
Impacts of Process and Temperature Variati... 6
Comparative Study of Reliability of Ferroe... 6
A Compact and Self-Isolated Dual-Direction... 6
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradatio... 6
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability雜志

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

研究方向:工程技術-工程:電子與電氣

中科院分區:3區,JCR分區:Q2

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